IRF6665TRPBF Prezos (USD) [207548unidades de stock]
- 1 pcs$0.20120
- 4,800 pcs$0.20020
- Número de peza:
- IRF6665TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF6665TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6665TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
530pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ SH
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric SH
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