Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8002-H(TE12L,Q

KEY Part #: K6415282

[12463unidades de stock]


    Número de peza:
    TPCC8002-H(TE12L,Q
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCC8002-H(TE12L,Q Atributos do produto

    Número de peza : TPCC8002-H(TE12L,Q
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
    Serie : U-MOSV-H
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 22A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2500pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta), 30W (Tc)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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