Infineon Technologies - FZ2400R17HP4B29BOSA2

KEY Part #: K6533273

FZ2400R17HP4B29BOSA2 Prezos (USD) [59unidades de stock]

  • 1 pcs$590.87655

Número de peza:
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MODULE IGBT IHMB190-1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies FZ2400R17HP4B29BOSA2 electronic components. FZ2400R17HP4B29BOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ2400R17HP4B29BOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ2400R17HP4B29BOSA2 Atributos do produto

Número de peza : FZ2400R17HP4B29BOSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MODULE IGBT IHMB190-1
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Single Switch
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 4800A
Potencia: máx : 15500W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 2400A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 195nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

Tamén pode estar interesado
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.