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- Número de peza:
- VS-GT100TP120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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VS-GT100TP120N Atributos do produto
Número de peza :
VS-GT100TP120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
Trench
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
180A
Potencia: máx :
652W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivos de provedores :
INT-A-PAK
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