IXYS - IXFH58N20

KEY Part #: K6397997

IXFH58N20 Prezos (USD) [9185unidades de stock]

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Número de peza:
IXFH58N20
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH58N20 Atributos do produto

Número de peza : IXFH58N20
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 58A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4400pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche : TO-247-3

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