IRL100HS121 Prezos (USD) [201485unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRL100HS121
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 6PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Ventaxa competitiva:
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IRL100HS121 Atributos do produto
Número de peza :
IRL100HS121
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
440pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
11.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-PQFN (2x2)
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad
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