Número de peza :
D650N08TXPSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 800V 650A
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
800V
Actual - Media rectificada (Io) :
650A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
950mV @ 450A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
20mA @ 800V
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
DO-200AA, A-PUK
Paquete de dispositivos de provedores :
-
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 180°C