IXTP08N100P Prezos (USD) [59377unidades de stock]
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- Número de peza:
- IXTP08N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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IXTP08N100P Atributos do produto
Número de peza :
IXTP08N100P
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
Serie :
Polar™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
240pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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