TK8R2A06PL,S4X Prezos (USD) [58817unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK8R2A06PL,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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TK8R2A06PL,S4X Atributos do produto
Número de peza :
TK8R2A06PL,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
28.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1990pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SIS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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