Microsemi Corporation - APTM60H23FT1G

KEY Part #: K6522602

APTM60H23FT1G Prezos (USD) [2511unidades de stock]

  • 1 pcs$17.24630
  • 100 pcs$17.02655

Número de peza:
APTM60H23FT1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60H23FT1G Atributos do produto

Número de peza : APTM60H23FT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 165nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5316pF @ 25V
Potencia: máx : 208W
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP1
Paquete de dispositivos de provedores : SP1