SI4931DY-T1-E3 Prezos (USD) [195156unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI4931DY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 electronic components. SI4931DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4931DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4931DY-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI4931DY-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 350µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
52nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
1.1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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