SQ4532AEY-T1_GE3 Prezos (USD) [246141unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQ4532AEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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SQ4532AEY-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQ4532AEY-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potencia: máx :
3.3W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
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