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- Número de peza:
- GP2M004A065HG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 4A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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GP2M004A065HG Atributos do produto
Número de peza :
GP2M004A065HG
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
642pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
98.4W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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