SI6413DQ-T1-GE3 Prezos (USD) [91270unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI6413DQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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SI6413DQ-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI6413DQ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 400µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
105nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.05W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSSOP
Paquete / Estuche :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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