Descrición :
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 20mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2300pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die