SIHG22N60AEL-GE3 Prezos (USD) [18373unidades de stock]
- 1 pcs$2.24316
- Número de peza:
- SIHG22N60AEL-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 600V.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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SIHG22N60AEL-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHG22N60AEL-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 600V
Serie :
EL
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1757pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AC
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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