Vishay Semiconductor Diodes Division - S1GHE3/5AT

KEY Part #: K6444908

[2289unidades de stock]


    Número de peza:
    S1GHE3/5AT
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays and Tiristores: SCRs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S1GHE3/5AT Atributos do produto

    Número de peza : S1GHE3/5AT
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
    Actual - Media rectificada (Io) : 1A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
    Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 400V
    Capacitancia @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : DO-214AC, SMA
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AC (SMA)
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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