IXFN38N100P Prezos (USD) [2499unidades de stock]
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- 10 pcs$16.82937
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- 100 pcs$14.37309
- 250 pcs$13.19050
- Número de peza:
- IXFN38N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN38N100P Atributos do produto
Número de peza :
IXFN38N100P
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
38A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
350nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
24000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1000W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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