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- Número de peza:
- IRF5305L
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 55V 31A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5305L electronic components. IRF5305L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5305L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5305L Atributos do produto
Número de peza :
IRF5305L
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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