TK12E60W,S1VX Prezos (USD) [37786unidades de stock]
- 1 pcs$1.20585
- 50 pcs$1.19985
- Número de peza:
- TK12E60W,S1VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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TK12E60W,S1VX Atributos do produto
Número de peza :
TK12E60W,S1VX
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
890pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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