VS-GT400TH60N Prezos (USD) [164unidades de stock]
- 1 pcs$281.77816
- 12 pcs$223.00207
- Número de peza:
- VS-GT400TH60N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- IGBT 600V 530A 1600W DIAP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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VS-GT400TH60N Atributos do produto
Número de peza :
VS-GT400TH60N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
530A
Potencia: máx :
1600W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 400A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
30.8nF @ 30V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Paquete de dispositivos de provedores :
Double INT-A-PAK
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- FZ3600R17KE3B2NOSA1
- FZ2400R17KF6CB2S1NOSA1
- IRG7U200HF12B
- IRG7T50FF12E
- IRG7T300HF12B
- IRG5U400SD12B
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