DMT10H010SPS-13 Prezos (USD) [158081unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMT10H010SPS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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DMT10H010SPS-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMT10H010SPS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.7A (Ta), 113A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4.468nF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI5060-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3