ON Semiconductor - FQI7P06TU

KEY Part #: K6410909

[13974unidades de stock]


    Número de peza:
    FQI7P06TU
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQI7P06TU electronic components. FQI7P06TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI7P06TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI7P06TU Atributos do produto

    Número de peza : FQI7P06TU
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
    Serie : QFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 410 mOhm @ 3.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±25V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 295pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3.75W (Ta), 45W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK (TO-262)
    Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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