Infineon Technologies - IPA90R1K2C3XKSA1

KEY Part #: K6399857

IPA90R1K2C3XKSA1 Prezos (USD) [48963unidades de stock]

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Número de peza:
IPA90R1K2C3XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: TRIAC ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA90R1K2C3XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPA90R1K2C3XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
Serie : CoolMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5.1A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 310µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 710pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 31W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-FP
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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