IPA65R660CFDXKSA1 Prezos (USD) [91131unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPA65R660CFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 6A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPA65R660CFDXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPA65R660CFDXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
615pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
27.8W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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