Vishay Siliconix - SQJ504EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525214

SQJ504EP-T1_GE3 Prezos (USD) [133641unidades de stock]

  • 1 pcs$0.27677

Número de peza:
SQJ504EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ504EP-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQJ504EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Potencia: máx : 34W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8 Dual

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