STW50N65DM2AG Prezos (USD) [11159unidades de stock]
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- 10 pcs$3.10870
- 100 pcs$2.55597
- 500 pcs$2.14148
- 1,000 pcs$1.86515
- Número de peza:
- STW50N65DM2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 28A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
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STW50N65DM2AG Atributos do produto
Número de peza :
STW50N65DM2AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 28A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
28A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3200pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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