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- Número de peza:
- RS3JHE3/9AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable, Diodos - RF and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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RS3JHE3/9AT Atributos do produto
Número de peza :
RS3JHE3/9AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 2.5A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
250ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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Pezas quentes
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G