Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3JHE3/9AT

KEY Part #: K6446971

[7257unidades de stock]


    Número de peza:
    RS3JHE3/9AT
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3JHE3/9AT Atributos do produto

    Número de peza : RS3JHE3/9AT
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 2.5A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 250ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
    Capacitancia @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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