Número de peza :
RHRD660S9A_NL
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.1V @ 6A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 600V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252AA
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C