ON Semiconductor - NVMFS6H818NT1G

KEY Part #: K6397271

NVMFS6H818NT1G Prezos (USD) [82385unidades de stock]

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Número de peza:
NVMFS6H818NT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
TRENCH 8 80V NFET.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H818NT1G Atributos do produto

Número de peza : NVMFS6H818NT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : TRENCH 8 80V NFET
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Ta), 123A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 190µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3100pF @ 40V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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