Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N60ECH C5G

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TSM2N60ECH C5G Prezos (USD) [116901unidades de stock]

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Número de peza:
TSM2N60ECH C5G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N60ECH C5G Atributos do produto

Número de peza : TSM2N60ECH C5G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 362pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 52.1W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-251 (IPAK)
Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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