Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34FHE3/83

KEY Part #: K6447649

[1351unidades de stock]


    Número de peza:
    EGL34FHE3/83
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: TRIAC ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34FHE3/83 Atributos do produto

    Número de peza : EGL34FHE3/83
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 300V
    Actual - Media rectificada (Io) : 500mA
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.35V @ 500mA
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 300V
    Capacitancia @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : DO-213AA (Glass)
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AA (GL34)
    Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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