Número de peza :
1PS193,135
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
215mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 100mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SMT3; MPAK
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)