Vishay Siliconix - SI1303DL-T1-GE3

KEY Part #: K6412828

[13311unidades de stock]


    Número de peza:
    SI1303DL-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3 electronic components. SI1303DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1303DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1303DL-T1-GE3 Atributos do produto

    Número de peza : SI1303DL-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 670mA (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 2.2nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±12V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 290mW (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : SC-70-3
    Paquete / Estuche : SC-70, SOT-323

    Tamén pode estar interesado
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • NP20P04SLG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET P-CH 40V 20A TO-252.

    • NP52N055SUG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 52A TO-252.

    • IRFR120Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.