SQM120N06-3M5L_GE3 Prezos (USD) [40271unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQM120N06-3M5L_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQM120N06-3M5L_GE3 electronic components. SQM120N06-3M5L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120N06-3M5L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQM120N06-3M5L_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQM120N06-3M5L_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
14700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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