Vishay Siliconix - SI4423DY-T1-E3

KEY Part #: K6416490

SI4423DY-T1-E3 Prezos (USD) [79135unidades de stock]

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  • 2,500 pcs$0.41661

Número de peza:
SI4423DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4423DY-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI4423DY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 600µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 175nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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