Vishay Siliconix - SIHB35N60E-GE3

KEY Part #: K6399421

SIHB35N60E-GE3 Prezos (USD) [13208unidades de stock]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Número de peza:
SIHB35N60E-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB35N60E-GE3 electronic components. SIHB35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB35N60E-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIHB35N60E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2760pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D²PAK (TO-263)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tamén pode estar interesado
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.