Diodes Incorporated - ZXMN2F30FHTA

KEY Part #: K6420297

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Número de peza:
ZXMN2F30FHTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2F30FHTA Atributos do produto

Número de peza : ZXMN2F30FHTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 4.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 452pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 960mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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