Número de peza :
RS1G300GNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4230pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN