IXYS - IXTP3N120

KEY Part #: K6398410

IXTP3N120 Prezos (USD) [14704unidades de stock]

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  • 10 pcs$2.87601
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  • 500 pcs$1.90975
  • 1,000 pcs$1.61063

Número de peza:
IXTP3N120
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP3N120 Atributos do produto

Número de peza : IXTP3N120
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1350pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3

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