ON Semiconductor - NTTFS5826NLTAG

KEY Part #: K6415756

NTTFS5826NLTAG Prezos (USD) [280853unidades de stock]

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Número de peza:
NTTFS5826NLTAG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTTFS5826NLTAG Atributos do produto

Número de peza : NTTFS5826NLTAG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 850pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.1W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche : 8-PowerWDFN

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