FDD86113LZ Prezos (USD) [159974unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDD86113LZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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FDD86113LZ Atributos do produto
Número de peza :
FDD86113LZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
285pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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