NTR3A30PZT1G Prezos (USD) [383676unidades de stock]
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- Número de peza:
- NTR3A30PZT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 3A SOT23.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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NTR3A30PZT1G Atributos do produto
Número de peza :
NTR3A30PZT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1651pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
480mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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