Toshiba Semiconductor and Storage - TK31V60W,LVQ

KEY Part #: K6416825

TK31V60W,LVQ Prezos (USD) [20242unidades de stock]

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Número de peza:
TK31V60W,LVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31V60W,LVQ Atributos do produto

Número de peza : TK31V60W,LVQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Serie : DTMOSIV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3000pF @ 300V
Función FET : Super Junction
Disipación de potencia (máx.) : 240W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Estuche : 4-VSFN Exposed Pad