IXYS - IXTA64N10L2

KEY Part #: K6397989

IXTA64N10L2 Prezos (USD) [8822unidades de stock]

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  • 100 pcs$3.80254
  • 500 pcs$3.18591

Número de peza:
IXTA64N10L2
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
N-CHANNEL LINEAR POWER MOSFETS.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA64N10L2 Atributos do produto

Número de peza : IXTA64N10L2
Fabricante : IXYS
Descrición : N-CHANNEL LINEAR POWER MOSFETS
Serie : Linear L2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 64A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3620pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 357W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AA
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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