Rohm Semiconductor - RW1E015RPT2R

KEY Part #: K6421659

RW1E015RPT2R Prezos (USD) [1308723unidades de stock]

  • 1 pcs$0.03125
  • 8,000 pcs$0.03109

Número de peza:
RW1E015RPT2R
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Rohm Semiconductor RW1E015RPT2R electronic components. RW1E015RPT2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1E015RPT2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1E015RPT2R Atributos do produto

Número de peza : RW1E015RPT2R
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 230pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 400mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-WEMT
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666