Infineon Technologies - BSP615S2L

KEY Part #: K6409953

[103unidades de stock]


    Número de peza:
    BSP615S2L
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Tiristores: TRIAC ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BSP615S2L electronic components. BSP615S2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP615S2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP615S2L Atributos do produto

    Número de peza : BSP615S2L
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
    Serie : OptiMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.8A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 12µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 330pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.8W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-SOT223-4
    Paquete / Estuche : TO-261-4, TO-261AA

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