IPT65R195G7XTMA1 Prezos (USD) [54752unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPT65R195G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- HIGH POWERNEW.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPT65R195G7XTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPT65R195G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
HIGH POWERNEW
Serie :
CoolMOS™ C7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
996pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
97W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-HSOF-8-2
Paquete / Estuche :
8-PowerSFN
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