[661unidades de stock]
- Número de peza:
- IRF7809PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7809PBF electronic components. IRF7809PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7809PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7809PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7809PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
28V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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