NVTFS6H854NTAG Prezos (USD) [192787unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVTFS6H854NTAG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- TRENCH 8 80V NFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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NVTFS6H854NTAG Atributos do produto
Número de peza :
NVTFS6H854NTAG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
TRENCH 8 80V NFET
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A (Ta), 44A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 45µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
770pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
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